高二物理講課必聽知識點
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高二物理講課必聽知識點1
一、焦耳定律
1.定義：電流流過導體產生的熱量跟電流的平方、導體的電阻和通電時間成正比。
2.意義：電流通過導體時所產生的電熱。
3.適用條件：任何電路。
二、電阻定律
1.電阻定律：在一定溫度下，導體的電阻與導體本身的長度成正比，跟導體的橫截面積成反比。
2.意義：電阻的決定式，提供了一種測電阻率的方法。
3.適用條件：適用于粗細均勻的金屬導體和濃度均與的電解液。
三、歐姆定律
1.歐姆定律：導體中電流I跟導體兩端的電壓U成正比，跟它的電阻R成反比。
2.意義：電流的決定式，提供了一種測電阻的方法。
3.適用條件：金屬、電解液(對氣體不適用)。適用于純電阻電路。
四、庫倫定律
五、電阻率
1.意義：電阻率是反映導體材料導電性能的物理量。材料導電性能的好壞用電阻率p表示，電阻率越小，導電性能越好，電阻率越大，表明在相同長度，相同橫截面積的情況下，導體電阻就越大。
2.決定因素：由材料的種類和溫度決定，與材料的長短、粗細無關。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。
3.與溫度的關系：各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大(可用于制造電阻溫度計);半導體和電介質的電阻率隨溫度的升高而減小(半導體的電阻率隨溫度的變化較大，可用于制造熱敏電阻)。
高二物理講課必聽知識點2
1.電流強度：I=q/t{I:電流強度(A),q:在時間t內通過導體橫載面的電量(C),t:時間(s)｝
2.歐姆定律：I=U/R{I:導體電流強度(A),U:導體兩端電壓(V),R:導體阻值(Ω)｝
3.電阻、電阻定律：R=ρL/S{ρ:電阻率(Ω?m),L:導體的長度(m),S:導體橫截面積(m2)｝
4.閉合電路歐姆定律：I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U內+U外
{I:電路中的總電流(A),E:電源電動勢(V),R:外電路電阻(Ω),r:電源內阻(Ω)｝
5.電功與電功率：W=UIt,P=UI{W:電功(J),U:電壓(V),I:電流(A),t:時間(s),P:電功率(W)｝
6.焦耳定律：Q=I2Rt{Q:電熱(J),I:通過導體的電流(A),R:導體的電阻值(Ω),t:通電時間(s)｝
7.純電阻電路中:由于I=U/R,W=Q,因此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R
8.電源總動率、電源輸出功率、電源效率：P總=IE,P出=IU,η=P出/P總{I:電路總電流(A),E:電源電動勢(V),U:路端電壓(V),η：電源效率｝
9.電路的串/并聯串聯電路(P、U與R成正比)并聯電路(P、I與R成反比)
電阻關系(串同并反)R串=R1+R2+R3+1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+
電流關系I總=I1=I2=I3I并=I1+I2+I3+
電壓關系U總=U1+U2+U3+U總=U1=U2=U3
功率分配P總=P1+P2+P3+P總=P1+P2+P3+
10.歐姆表測電阻
(1)電路組成(2)測量原理
兩表筆短接后,調節Ro使電表指針滿偏,得
Ig=E/(r+Rg+Ro)
接入被測電阻Rx后通過電表的電流為
Ix=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)
由于Ix與Rx對應,因此可指示被測電阻大小
(3)使用方法:機械調零、選擇量程、歐姆調零、測量讀數{注意擋位(倍率)｝、撥off擋.
(4)注意:測量電阻時,要與原電路斷開,選擇量程使指針在中央附近,每次換擋要重新短接歐姆調零.
11.伏安法測電阻
電流表內接法：電流表外接法：
電壓表示數：U=UR+UA電流表示數：I=IR+IV
Rx的測量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+Rx>R真Rx的測量值=U/I=UR/(IR+IV)=RVRx/(RV+R)>RA[或Rx>(RARV)1/2]選用電路條件Rx
高二物理講課必聽知識點3
1.庫侖定律：F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:點電荷間的作用力(N)，k:靜電力常量k=9.0×109N?m2/C2，Q1、Q2:兩點電荷的電量(C)，r:兩點電荷間的距離(m)，方向在它們的連線上，作用力與反作用力，同種電荷互相排斥，異種電荷互相吸引｝
2.兩種電荷、電荷守恒定律、元電荷：(e=1.60×10-19C);帶電體電荷量等于元電荷的整數倍
3.電場強度：E=F/q(定義式、計算式){E:電場強度(N/C)，是矢量(電場的疊加原理)，q：檢驗電荷的電量(C)｝
4.真空點(源)電荷形成的電場E=kQ/r2{r：源電荷到該位置的距離(m)，Q：源電荷的電量｝
5.電場力：F=qE{F:電場力(N)，q:受到電場力的電荷的電量(C)，E:電場強度(N/C)｝
6.勻強電場的場強E=UAB/d{UAB:AB兩點間的電壓(V)，d:AB兩點在場強方向的距離(m)｝
7.電勢與電勢差：UAB=φA-φB，UAB=WAB/q=-ΔEAB/q
8.電場力做功：WAB=qUAB=Eqd{WAB:帶電體由A到B時電場力所做的功(J)，q:帶電量(C)，UAB:電場中A、B兩點間的電勢差(V)(電場力做功與路徑無關),E:勻強電場強度,d:兩點沿場強方向的距離(m)｝
9.電場力做功與電勢能變化ΔEAB=-WAB=-qUAB(電勢能的增量等于電場力做功的負值)
10.電勢能：EA=qφA{EA:帶電體在A點的電勢能(J)，q:電量(C)，φA:A點的電勢(V)｝
11.電勢能的變化ΔEAB=EB-EA{帶電體在電場中從A位置到B位置時電勢能的差值｝
12.電容C=Q/U(定義式,計算式){C:電容(F)，Q:電量(C)，U:電壓(兩極板電勢差)(V)｝
13.平行板電容器的電容C=εS/4πkd(S:兩極板正對面積，d:兩極板間的垂直距離，ω：介電常數)
14.帶電粒子在電場中的加速(Vo=0)：W=ΔEK或qU=mVt2/2，Vt=(2qU/m)1/2
15.帶電粒子沿垂直電場方向以速度Vo進入勻強電場時的偏轉(不考慮重力作用的情況下)
類平垂直電場方向:勻速直線運動L=Vot(在帶等量異種電荷的平行極板中：E=U/d)
拋運動平行電場方向:初速度為零的勻加速直線運動d=at2/2，a=F/m=qE/m
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