內存實用基礎大全

時間：2024-03-26 05:50:20 懷健20由分享

對于電腦內存，可能大家都覺得內存影響不到游戲幀數，但這其實是非常片面的。舉個例子，在玩絕地求生時，按下TAB鍵會卡頓或者游戲忽然掉幀，那就是內存不足導致的。下面就讓小編帶你去看看內存實用基礎大全，希望能幫助到大家!

又到了學點內存知識的季節

什么是DDR?

DDR，全稱：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memary，即，雙數據速率同步動態隨機存取記憶體，也就是我們常用的內存，它從SDRAM的基礎上發展起來，以后依次出現了DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它們的能效不斷提升。文章結尾附一張純良心內存能效參數表。

DDR間有什么區別?

1、SDRAM

SDRAM內部組成如，可見其組成可以分為幾個部分，存儲陣列、IO門控單元、行列地址解碼器、行列地址鎖存器、邏輯控制單元(包含模式寄存器)、數據輸入輸出寄存器等。

存儲矩陣內部結構，以8位內存單元為例，每個內存單元的數據輸出是并聯在一起，通過行列地址線選中一個存儲單元，

存儲容量大小和數據位寬度、行地址、列地址、塊數量等的關系：

單片容量(bit)=單片位寬×行數×列數×塊數量

2、DDR SDRAM

DDR的內部結構與SDRAM相比，數據讀寫部分改進比較大。其一，使用了兩位預讀取的技術;其二，增加了DLL(delay lock loop演示鎖定回路);其三，增加了數據掩碼控制和數據總線反轉控制;此外，時鐘信號和數據選通信號改為差分信號。

3、DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM整體布局變化不大，在輸入輸出數據總線接口上變化比較多。

DDR2在DDR的基礎上增加了ODT(on-die termination片上終結，即通過內部邏輯選擇合適的終端電阻進行匹配)功能，預讀取提高到了4位，即每傳輸4個字節/字，只有第一個字節/字有潛伏期。

4、DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM在輸入輸出數據總線接口上繼續提升性能，在存儲結構上改進工藝，堆疊更多的存儲塊，提高單顆芯片的容量。

在功能上的改進有，增加了讀寫平衡功能。

5、DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM在輸入輸出數據總線接口上繼續改善性能，在存儲結構上繼續改進工藝，不僅堆疊更多的存儲塊，而且使用硅片穿孔工藝把把堆疊成的存儲塊進行并列放置，集中到一顆芯片中，提高單顆芯片的容量。

內存的一些簡單入門知識

首先是大家都知道的，也是百度百科的資料，內存是什么?

內存條是連接CPU 和其他設備的通道，起到緩沖和數據交換作用。當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的工作效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”——內存。

內存的特點是存儲速度快。內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如QQ、瀏覽器、游戲，包括WINDOWS系統，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內存中進行的。就好比在一個書房里，存放書籍的書架或書柜相當于電腦的外存，而我們工作的辦公室就是內存。通常我們把要永久保存的、大量的數據存在外存上，當然內存的好壞會直接影響電腦的運行速度。

內存的發展歷史

內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特征是斷電后數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種;后者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特征是斷電后數據不會丟失。

而我們平時所說的“內存條”則隸屬于DRAM類別下的SDRAM家族。

第一代 SDR SDRAM

第二代 DDR SDRAM

第三代 DDR2 SDRAM

第四代 DDR3 SDRAM

第五代DDR4 SDRAM

我們現在常用的DDR4就是第五代內存了!

關于內存頻率、時序還有電壓的一些解釋

所謂內存頻率，就是我們經常說的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，后面這些數字就是內存頻率。

一般情況下，內存頻率的高低，決定了內存性能的強弱。內存頻率越高，內存帶寬也就越高，正常工作的速度會更快。

關于內存時序，也就是我們在CPU-Z里面所看到的數字了。

內存時序是描述內存條性能的一種參數，一般存儲在內存條的SPD中。這些參數設置的越小，內存處理數據越快，但是也越不穩定;反之較慢，但是穩定性提高，因此需要設置合適的內存時序。一般DDR4 2133的內存默認時序是15-15-15-35…

關于內存電壓，每代內存電壓都是有一個標準范圍的。比如我們現在用的DDR4內存電壓默認為1.2V，超頻也最好不要超過1.5V;而DDR3的內存則是從1.5-2.0V;DDR2則是2V起步。

現在內存所支持的XMP是什么?

Intel XMP全名是Extreme Memory Profile，是針對DDR3模塊而推出的一項認證。

其主要功能就是高階的內存設定，內存廠商除了會在內存預設普通的SPD值外，另外亦會寫入更為高速的設定。當然，廠商們可以任意替旗下的內存模塊寫進更加高速的設定，但這樣就沒有任何穩定性的保證及標準，所以業界便引入XMP設計。

XMP會在內存地址176-254中記錄內存的速度，而最多可以保存2組的設定值。廠商們如需要得到XMP的認證，就必須把內存及該設定送交Intel測試，通過后就會給予認證。Intel推出這個標準，其主要用意是針對高效能市場，玩家使用具備了XMP的內存，就能夠直接提升工作平臺的效能。

內存時序和頻率的一些問題?

這時候我們就需要舉個例子了，以宇瞻黑豹DDR4 2400的內存和影馳名人堂HOF DDR4 2400內存來對比。

延遲對比：

宇瞻黑豹DDR4 2400 16-16-16-36 CL16 延遲計算 (1/2400MHz)__16=6.67納秒

宇瞻黑豹DDR4 2133 15-15-15-35 CL15 延遲計算 (1/2400MHz)__15=6.25納秒

然后計算帶寬(按照雙通道計算，內存帶寬128bit)：

2400 ： 2400MHz__128bit/8= 38400MB/S

2133 ： 2133MHz__128bit/8= 34128MB/S

內存延遲意味著內存的反應速度。我們知道，CPU讀寫內存的事情，首先是要告訴內存，要讀寫某個地址的數據，意味著CPU要先發送某個地址代碼給內存，內存接收到后，編譯準備好的這段時間為內存延遲時間。

當內存準備好了數據反饋給CPU，CPU開始讀寫內存，這時候，內存的帶寬是主要作用，一直到數據傳輸完成，然后重復上一步操作，這就是內存和CPU的工作原理(簡單通俗的講，實際比這個復雜多了)

所以我們可以分兩種情況，當CPU讀寫內存數據量很大，而且是連續的時候，內存帶寬影響最大;當CPU讀寫的內存數據非常零碎，且零碎數據很多，這時候的低延遲的內存速度回更快。

這也解釋了核顯對于雙通道高頻內存的需求，圖形數據一般都是大量并且連續的，AMD的APU需要高頻雙內存的原理，就是這么來的。

關于內存超頻的一些問題

內存超頻跟內存顆粒的體制是肯定有最為直接的關系的。然后還有就是主板bios的設計、主板bios的優化水平，CPU集成的內存控制器等等原因，都是有影響的!

我們所看到某些支持XMP內存和主板，在某種程度上，可以認為是廠商預先保留的超頻選擇，直接在bios開啟即實現超頻。

當然，我們普通的內存一樣是可以超頻的，具體要看實際平臺和內存等等來操作，基本原理也就是時序、頻率和電壓了，每個人的情況都不一樣，需要自己去調試才行。

好了，今天的每日一薦到此結束，臨時洋洋灑灑寫了1900個字，明天還不知道寫啥，希望大家給我一些建議和提示!

內存知識詳解：接口類型

接口類型，是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的。金手指上的導電觸片，也習慣稱為針腳數(Pin)。因為不同的內存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數各不相同。筆記本內存一般采用 144Pin、200Pin 接口;臺式機內存則基本使用 168Pin 和184Pin 接口。對應于內存所采用的不同針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前，臺式機系統主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在 SIMM 和 DIMM 插槽基礎上發展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數上略有改變。

1、金手指

金手指(connecting finger)是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過，因為金昂貴的價格，目前較多的內存都采用鍍錫來代替。從上個世紀 90 年代開始，錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的“金手指”，幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務器/工作站的配件接觸點，才會繼續采用鍍金的做法，價格自然不菲。

內存的金手指

內存處理單元的所有數據流、電子流，正是通過金手指與內存插槽的接觸與 PC 系統進行交換，是內存的輸出輸入端口。因此，其制作工藝，對于內存連接顯得相當重要。

2、內存插槽

最初的計算機系統，通過單獨的芯片安裝內存，那時內存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP 芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內存卡與系統連接，此時還沒有正式的內存插槽。DIP 芯片有個最大的問題，就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由于系統溫度的反復變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生內存錯誤。

內存插槽

早期還有另外一種方法，是把內存芯片直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了 DIP 芯片偏離的問題，但無法再對內存容量進行擴展，而且如果一個芯片發生損壞，整個系統都將不能使用，只能重新焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板。此種方法付出的代價較大，也極為不便。

對于內存存儲器，大多數現代的系統，都已采用單列直插內存模塊(Single Inline Memory Module，SIMM)或雙列直插內存模塊(Dual Inline Memory Module，DIMM)來替代單個內存芯片。這些小板卡插入到主板或內存卡上的特殊連接器里。

3、內存模塊

1) SIMM

SIMM(Single Inline Memory Module，單列直插內存模塊)。內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM 就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最初一次只能傳輸 8bif 數據，后來逐漸發展出 16bit、32bit 的 SIMM 模組。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的則使用72pin 接口。在內存發展進入 SDRAM 時代后，SIMM 逐漸被 DIMM 技術取代。

2) DIMM

DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內存模塊)。與 SIMM 相當類似，不同的只是 DIMM 的金手指兩端，不像 SIMM 那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號。因此，可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣采用 DIMM，SDRAM 的接口與 DDR 內存的接口也略有不同，SDRAMDIMM 為 168Pin DIMM 結構，金手指每面為 84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀;

DDR DIMM則采用 184Pin DIMM 結構，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。DDR2 DIMM 為240pinDIMM 結構，金手指每面有 120Pin，與 DDR DIMM 一樣金手指一樣，也只有一個卡口，但是卡口的位置與 DDR DIMM 稍微有一些不同。因此，DDR 內存是插不進 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 內存也是插不進 DDR DIMM 的。因此，在一些同時具有 DDR DIMM 和 DDR2 DIMM 的主板上，不會出現將內存插錯插槽的問題。

不同針腳 DIMM 接口對比。為了滿足筆記本電腦對內存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也開發了出來，它的尺寸比標準的 DIMM 要小很多，而且引腳數也不相同。同樣 SO-DIMM 也根據 SDRAM 和 DDR 內存規格不同而不同。SDRAM 的 SO-DIMM 只有 144pin引腳，而DDR 的 SO-DIMM 擁有 200pin 引腳。此外，筆記本內存還有 MicroDIMM 和 Mini Registered DIMM 兩種接口。MicroDIMM 接口的DDR 為 172pin，DDR2 為 214pin;Mini Registered DIMM 接口為 244pin，主要用于 DDR2 內存。

3) RIMM

RIMM(Rambus Inline Memory Module)是 Rambus 公司生產的 RDRAM 內存所采用的接口類型。RIMM 內存與 DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM 有也 184 Pin 的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有 16 位數據寬度，ECC 版則都是 18 位寬。由于 RDRAM 內存較高的價格，此類內存在 DIY 市場很少見到，RIMM 接口也就難得一見了。