華為P10閃存門事件爆發
要問三星Galaxy S8之前最熱的Android手機，華為P10肯定榜上有名。那么華為P10有哪些事件呢?接下來請跟著學習啦小編了解吧。
華為手機存儲事件
簡單來說，很多P10用戶用AndroBench等測試軟件跑分時，發現自己的手機存儲性能遠遠低于早前網上的評測數據。就拿持續讀取速度而言，P10在網上的最高成績可以突破700MB/s大關，而有些P10則只能跑到600MB/s左右，更有些P10的性能卻不足300MB/s。
貼吧網友曝光的P10存儲性能跑分截圖
于是，P10存在同時使用UFS2.1、UFS2.0和eMMC三種閃存規格的消息就在網上不脛而走。
華為ROM的存儲介質的區別
智能手機的存儲芯片(ROM)源于NAND閃存，只是存在eMMC和UFS兩種存儲介質。其中，eMMC(嵌入式的多媒體存儲卡)是中低端Android手機的標配，我們可以將它理解為將NAND閃存、主控芯片封裝在一起的閃存盤(U盤)，并通過BGA封裝的形式焊在了手機的主板上。
想提升這個內置閃存盤的性能，只有不斷改進eMMC的總線接口，于是就有了eMMC4.4、eMMC4.5、eMMC5.0和eMMC5.1的不算演進。
問題是，eMMC的結構性質注定它不可能獲得太強的性能。以最新的eMMC5.1為例，其實際持續讀取速度不可能突破300MB/s大關。
榮耀Magic采用的就是eMMC5.1
參考PC領域存儲設備的演進，既然閃存盤性能落伍，那換個SSD不就結了?于是，UFS(通用閃存)便出爐了。
簡單來說，eMMC性能差是因為它只支持半雙工運行(讀寫必須分開執行)，而UFS則改用了全雙工運行，能夠同時讀寫數據。我們可以將UFS理解為SSD，雖然它和閃存盤都是由NAND閃存芯片構成，但不同的運行機制，導致兩種存儲設備的性能就有了云泥之別，UFS2.0可以輕松達到450MB/s以上的持續讀取速度。
UFS 2.0共有2個版本，其中一個是HS-G2，也就是目前的UFS2.0。而另一個版本名為HS-G3，其理論傳輸速率可達到11.6Gbps，也就是UFS 2.0的2倍。而HS-G3現在也有了新的名字：UFS2.1。
就理論測試速度而言，UFS2.1小幅領先USF2.0，而UFS2.0則大幅領先eMMC5.1。帶寬速度越快，最直接的影響就是可以提升APP啟動速度、游戲加載速度、手機與手機/PC間的文件傳輸速度。
但是，我們可以回顧一下電腦上的SSD，有SATA通道的(如2.5英寸SSD，速度約550MB/s)，也有PCIe通道的(如PCIe M.2 SSD，速度約1000MB/s)，還有支持NVMe協議的(速度可超2000MB/s)，但在使用上的差異并不是特別明顯，只是在跑分成績上的差距巨大。
華為P10的閃存門
華為P10閃存門的問題就是源于不同批次手機采用了不同規格的閃存芯片。那些只能跑到280MB/s左右的應該就是eMMC5.1的速度無疑。
至于說P10的速度不足600MB/s懷疑是UFS2.0的觀點則有失偏頗。
先來看看智趣狗早前評測P10的存儲性能，持續讀取速度為590MB/s，再早以前評測的Mate 9的速度也是590MB/s左右，這個速度符合UFS2.1的標準。
如果是UFS2.0，那它的速度很難突破450MB/s大關，比如這張圖是智趣狗評測vivo Xplay6，就是驍龍820+UFS2.0的搭配。
當然，UFS2.1也能達到700MB/s以上的速度，但這僅限于128GB或更大存儲容量的手機。比如智趣狗評測的榮耀V9就能達到這個速度。
無論是UFS還是電腦上的SSD，都存在容量越大性能越強的Buff。所以64GB的UFS2.1跑不過128GB的UFS2.1很正常。
但無論如何，華為P10沒有堅持始終如一的選擇性能最優秀的UFS2.1作為P10唯一的閃存，的確有些對不起其定位旗艦級的身份。
究其原因，則是近年來閃存供貨不足，UFS被上游廠商卡了脖子，所以有些批次的P10不得不選擇其他版本的閃存備用。
華為的公開聲明
針對閃存速度差異問題，日前華為進行了公開說明，稱在P10/P10 Plus閃存選用問題上，華為是跟多家優秀的閃存供應商合作，這是為了保障供應的穩定，當然選用的閃存符合他們的驗收標準，都是優秀的。
華為強調，一部手機的體驗是否流暢，不是單純由某個單一部件性能決定的，而是由軟件系統和硬件系統綜合設計和優化來決定。為了讓整機獲得流暢的用戶體驗，華為近年來持續對麒麟芯片、EMUI、攝像及其它軟硬件系統進行深度優化和技術研發，所以大可放心使用。
華為還對用戶跑分測試閃存性能進行了說明，其表示用某些跑分軟件去測試單個閃存器件的相關性能，也不能準確反映出整部手機的系統能力和體驗感知，更不符合用戶的真實使用場景，而真正體驗一部好手機的關鍵，還是愉悅的使用體驗。
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