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    怎么看三星內(nèi)存條真假

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      看三星內(nèi)存條真假方法

      要想學(xué)會(huì)識(shí)別內(nèi)存真假,首先要學(xué)會(huì)認(rèn)識(shí)產(chǎn)品標(biāo)簽。

      M379B5273DHO-YKO

      M:M=memory

      3:3=DIMM 臺(tái)式機(jī)內(nèi)存

      79:臺(tái)式機(jī)黑條

      B:B=DDR3

      52=DEPTH 2Gb7=8bank 1.5V3=8 bitD=30nm制程H=FBGA封裝無(wú)鉛無(wú)汞0=PCB版本 0為初版

      Y=1.35V低電壓,K0=DDR3-1600

      這個(gè)筆記本內(nèi)存條竟然翻譯出臺(tái)式內(nèi)存黑條是不是很搞笑。

      這個(gè)是從三星下載的表格,紅色框中表示與你這個(gè)編號(hào)最為相近的顆粒,同樣表明該型號(hào)內(nèi)存需要16顆256m的顆粒才能組成單根4G的內(nèi)存條。這個(gè)內(nèi)存與貼紙的型號(hào)是不符的,所以是假貨

      那是不是8顆粒的4GB內(nèi)存都是假貨呢?不是的,其實(shí)8顆粒的4G內(nèi)存條是可以做出來(lái)的。這個(gè)才是真正的8顆粒的4G內(nèi)存,規(guī)格是1333,型號(hào)為M471B5273DM0-CH9跟前面的標(biāo)號(hào)相比,首先是YK0和CH9的差別,這個(gè)沒(méi)關(guān)系,前者是1600,后者是1333,前者是1.35V,后者是1.5V,對(duì)于說(shuō)明是8顆粒還是16顆粒毫無(wú)幫助。而對(duì)比前面一堆數(shù)字,發(fā)現(xiàn),幾乎基本一樣,唯一的差別就是倒數(shù)第二個(gè)數(shù)字,前者是H,而這條真的是M參考上面DATASHEET中的解釋?zhuān)琈和H的區(qū)別就是M引入了一個(gè)DDP的概念這個(gè)DDP是Dual Die Package的縮寫(xiě),簡(jiǎn)單理解就是雙核心封裝,其實(shí)就是雙核。

      而這個(gè)雙核應(yīng)該是基于DIE的真雙核,而不是基于chip的膠水雙核。所以使用了DDP技術(shù)的顆粒應(yīng)該在長(zhǎng)寬尺寸不變的情況下,在芯片的厚度上有所增加,但是是基于die的堆疊,因此厚度也不會(huì)超過(guò)太多。所以其實(shí),這1顆儲(chǔ)存芯片,實(shí)際上采用的是256MB(2Gb)*2的技術(shù)。因此單顆512MB*8=4GB完美對(duì)應(yīng)。OK,這條才是真的8顆粒4G,關(guān)鍵在于那個(gè)M,本人總結(jié):M471B5273DM0-CH9,規(guī)格是1333的8顆粒的4G內(nèi)存倒數(shù)第二個(gè)數(shù)字一定是M,不是的話(huà),就是假的,如果是1600的規(guī)格的話(huà)除外,比如原裝內(nèi)存編號(hào)為M471B5273DH0-CK0(KO:DDR3 1600)

      真正的8顆粒4G1333的顆粒編號(hào)為K4B4G0846D,這是一種采用DDP技術(shù)的單顆4Gb D型核心的顆粒,單顆規(guī)格為512M*8其實(shí)理解成(256M*8)*2更合適。

      下面看下上傳的水貨條的顆粒。可以說(shuō),這個(gè)顆粒跟我常見(jiàn)的三星內(nèi)存顆粒完全不同,常見(jiàn)怎么樣的,見(jiàn)右邊的原裝內(nèi)存。這條假的顆粒為K4B4G0846E和正常的顆粒的差別在于最后一個(gè)E,這個(gè)E是代表一種Die的封裝形式。不過(guò)從編號(hào)上看是沒(méi)有問(wèn)題的。哦,還有個(gè)MCK0.好吧,M代表的是DDP,CK0可以理解成1600.從顆粒來(lái)看,這個(gè)條子似乎也滿(mǎn)足4G的容量。但是三星顆粒下面是不會(huì)有256M*8DDR3 K的字樣不過(guò)我沒(méi)有測(cè)試到這種假的條子,所以256M*8DDR3 到底是按單顆256MB*8顆粒=2GB,還是還要算上DDP的2倍系數(shù)就不得而知了。

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