cpu溫度60多度
cpu溫度60多度
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cpu溫度60多度:
CPU保證在溫升20到30度的范圍內(nèi)一般是穩(wěn)定的。也就是說(shuō)，cpu的耐受溫度為60度，按夏天最高35度來(lái)計(jì)算，cpu溫度，應(yīng)該是cpu為55度，不能超過(guò)65度，當(dāng)然按此類(lèi)推，如果你的環(huán)境溫度現(xiàn)在是20度，cpu最好就不要超過(guò)50度。cpu的溫度，和使用時(shí)的溫度和主板的廠家不同而不同，溫度提高是由于CPU的發(fā)熱量大于散熱器的排熱量，一旦發(fā)熱量與散熱量趨于平衡，溫度就不再升高了。發(fā)熱量由CPU的功率決定，而功率又和電壓成正比，因此要控制好溫度就要控制好CPU的核心電壓。
隨著電腦的更新?lián)Q代，原來(lái)只有服務(wù)器才能用的雙核，四核現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入普通家庭用戶了，CPU數(shù)量從1核，2核，3核到現(xiàn)在的8核，運(yùn)行速度越來(lái)越快，CPU的溫度越來(lái)越高，電腦出現(xiàn)問(wèn)題的時(shí)候也越來(lái)越多，cpu溫度多少正常，才不會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)電腦藍(lán)屏重新啟動(dòng)呢?有些說(shuō)是60，有些說(shuō)是70，到底多高cpu溫度不會(huì)死機(jī)呢?CPU保證在溫升20到30度的范圍內(nèi)一般是穩(wěn)定的。
也就是說(shuō)，cpu的耐受溫度為60度，按夏天最高35度來(lái)計(jì)算，cpu溫度應(yīng)該為55度，不能超過(guò)65度。當(dāng)然按此類(lèi)推，如果你的環(huán)境溫度現(xiàn)在是20度，cpu最好就不要超過(guò)50度。溫度當(dāng)然是越低越好。不管你超頻到什么程度，都不要使你的cpu高過(guò)環(huán)境溫度30度以上。 因?yàn)镃PU長(zhǎng)時(shí)間工作在高溫度下，容易縮短使用時(shí)間，而且可能導(dǎo)致直接掛掉。所以不要在BOIS里把CPU溫度調(diào)到65度，一般60度就可以了。
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SRAMSRAM(Static RAM)意為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM數(shù)據(jù)不需要通過(guò)不斷地刷新來(lái)保存，因此速度比DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)快得多。但是SRAM具有的缺點(diǎn)是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲(chǔ)器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。SRAM目前發(fā)展出的一個(gè)分支是eSRAM(Enhanced SRAM)，為增強(qiáng)型SRAM，具備更大容量和更高運(yùn)行速度。
RDRAMRDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。RDRAM內(nèi)存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運(yùn)行頻率，性能非常強(qiáng)。然而它是一個(gè)非開(kāi)放的技術(shù)，內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費(fèi)。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問(wèn)題是不允許空通道的存在，必須成對(duì)使用，空閑的插槽必須使用終結(jié)器。因此，除了短壽的Intel i820和i850芯片組對(duì)其提供支持外，PC平臺(tái)沒(méi)有支持RAMBUS內(nèi)存的芯片組。可以說(shuō)，它是一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù)，但不是一個(gè)成功的商業(yè)產(chǎn)品。
XDR RAMXDR內(nèi)存是RDRAM的升級(jí)版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫(xiě)。XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內(nèi)存的應(yīng)用依舊非常有限。比較常見(jiàn)的只有索尼的PS3游戲機(jī)。
Fe-RAM鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)是通過(guò)鐵元素的磁性進(jìn)行存儲(chǔ)，因此，鐵電存儲(chǔ)器無(wú)需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會(huì)非常樂(lè)觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。
MRAM磁性存儲(chǔ)器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質(zhì)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
OUM相變存儲(chǔ)器。奧弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。[3]