什么是ram與ram有什么特點
ram是與CPU直接交換數據的內部存儲器，可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。以下是由學習啦小編整理關于什么是ram的內容，希望大家喜歡!
ram的特點
隨機存取
所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問(Sequential Access)存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
易失性
當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。
對靜電敏感
正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
訪問速度
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
需要刷新(再生)
現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
ram的類別
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。
靜態隨機存儲器(SRAM)
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。
動態隨機存儲器(DRAM)
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。
ram的組成
RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成，如圖所示。
存儲矩陣由觸發器排列而成，每個觸發器能存儲一位數據(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個地址，存放一個“字”;每個字的位數等于這一組單元的數目。存儲器的容量以“字數×位數”表示。地址譯碼器將每個輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號，從存儲矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下，將數據讀出或寫入。
合下，將數據讀出或寫入。
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